- 1. Основы технологии электронной компонентной базы (тип: электронная)
- 2. Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев (тип: электронная)
- 3. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа (тип: электронная)
- 1. Основы технологии электронной компонентной базы (тип: электронная)
- 1. Основы технологии электронной компонентной базы (тип: электронная)
- 2. Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев (тип: электронная)
- 3. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа (тип: электронная)
- 1. Основы технологии электронной компонентной базы (тип: электронная)
- 2. Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев (тип: электронная)
- 3. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа (тип: электронная)
- 1. Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев (тип: электронная)
- 2. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа (тип: электронная)
- 1. Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев (тип: электронная)
- 2. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа (тип: электронная)