Материалы и элементы электронной техники. Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев – Владимир Астахов

В практикуме рассматриваются принципы расчета режимов термического окисления, обеспечивающего заданную толщину маскирующей оксидной пленки, и режимов диффузии при формировании легированных слоев с заданными параметрами для кремниевых приборных структур. Излагается методика расчетов в программе Math Cad 2001.