Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Автор: Vinod Kumar Khanna
Язык: Английский
Тип: Текст
Опубликовано здесь:
Файл подготовлен:

A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Полная версия:

Отрывок

Спасибо за оценку! Будем признательны, если Вы оставите комментарий о данном произведении.

Оставить отзыв

ВходРегистрация
Забыли пароль