знания и навыки

учебная и научная литература

учебно-методические пособия

электроника

С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления

публицистическая литература

документальная литература

биографические справочники

публицистика

некоммерческие организации

справочная информация

исторические документы

международные организации

факты биографии

серьезное чтение

об истории серьезно

фотоархив

история международных отношений

Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

Без серии

Виктор Николаевич Мурашев