знания и навыки

учебная и научная литература

учебники и пособия для вузов

технические науки

прочая образовательная литература

Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов – фотодиодов, фотопреобразователей, фототранзисторов, оптопар и светодиодов. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по дисциплинам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для обучающихся по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

литературоведение

Приборы квантовой и оптической электроники

В учебном пособии рассматриваются методы решения задач линейных и нелинейных уравнений, методы теории приближения функций, численное дифференцирование и интегрирование, решение обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирование процессов диффузии на языке Visual Basic 6.0; содержится практическое руководство объектно-ориентированного программирования на языке Visual Basic 6.0.


зарубежная деловая литература

корпоративные финансы

финансовый менеджмент

Основы математического моделирования

Изложены основные методы численного моделирования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники, основанные на решении фундаментальной системы уравнений: Пуассона, непрерывности и переноса. Рассмотрены основные приближения базовой системы уравнений и границы их применимости. Представлены методы дискретизации фундаментальной системы уравнений (конечных разностей и конечных элементов) для последующего решения и сами методики решения. Отдельно рассмотрены подходы к моделированию полупроводниковых наноструктур с учетом влияния квантовых эффектов. Описаны методы численного решения стационарного и нестационарного уравнений Шредингера и метод совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона для полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».


внеклассное чтение

Методы математического моделирования. Учебное пособие

Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

управление бизнесом

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами

В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

книги по философии

Лекции включают описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и лазеров. Рассмотрены параметры и характеристики оптоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Электронные свойства твердого тела» и «Электронные и оптические свойства твердых тел». Предназначен для бакалавров, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника».

зарубежная справочная литература

Полупроводниковые оптоэлектронные приборы

Представлены основные физические принципы формирования оптического излучения в полупроводниковых структурах, а также условия его усиления и генерации. На основе представленных физических принципов показаны подходы к разработке и оптимизации конструкции светодиодных и лазерных оптоэлектронных приборов.
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся в бакалавриате по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

зарубежная классика

Приборы квантовой и оптической электроники. Светоизлучающие и лазерные структуры

Цель курса лекций – ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временно'м интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».

коучинг

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур. Моделирование наносистем методами молекулярной динамики

Данный курс лекций является частью курса “Моделирование технологических процессов”. В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов.

боевики, остросюжетная литература

фэнтези

боевая фантастика

попаданцы

оружие

ведьмы

путешествия по России

боевая магия

остросюжетная фантастика

Моделирование полупроводниковых приборов

Приведено описание нринцинов работы основных онтоэлектронных нолунроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Рассмотрены параметры и характеристики онтоэлектронных приборов. Дана классификация как самих приборов, так и их параметров.

Сергей Юрьевич Юрчук