Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям эдс холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности
Приведена методика расчета основных параметров полупроводника – ширины запрещенной зоны, энергии ионизации примесных и рекомбинационных центров – по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности.
