# Применение квантового туннельного эффекта код

Илья Зайцев

В научно-фантастической книге «Применение квантового туннельного эффекта код» рассматривается энергетическое устройство исследовательского аппарата на основе квантового эффекта в полупроводниках, применение в устройстве физико-химического процесса туннельного каталитического лизиса, свойства квантового уровня материальных объектов туннельного эффекта.

Сергей Ким Редактор

Мария Черноок Корректор

Мария Ведищева Дизайнер обложки

© Илья Зайцев, 2022

© Мария Ведищева, дизайн обложки, 2022

ISBN 978-5-0056-5554-7

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero


## Введение

Оценивая сегодняшнее положение дел и перспективы развития космической энергетики, стартовой энергетики далее относительно стыковки космической энергетики и энергетических систем планеты, мы видим, что в настоящее время основными топливными ресурсами на планете являются органические ископаемые топлива: нефть, газ и каменный уголь. Рост численных значений используемого планетарной энергетикой в целом органического топлива говорит о том, что в ближайшем будущем нас ждет энергетический кризис, и гигантский механизм, если его не менять и не совершенствовать, останется без базы своего существования, энергетического носителя.

Одним из вариантов выхода из данного положения предлагаю использование в стартовой, космической энергетике топливом низкомолекулярные неорганические соединения, наиболее распространенные геологически на планете. Примером такого химического соединения является вода.

Данное химическое соединение обладает следующими свойствами. Вода – устойчивое в условиях планетарной среды, кислородной атмосферы эндотермическое соединение. То есть на разложение воды необходимо затратить энергию, численно равную энергии, выделяющейся в процессе горения водорода в кислороде, и при этом вода не горит в кислороде с выделением энергии. Мы видим, что низкомолекулярные неорганические соединения методом химических превращений, то есть на химическом уровне свойств материальных объектов, химических соединений, устойчивы и энергетически инертны. Но есть множество физических и физико-химических свойств материи, позволяющих иметь выход энергии от данных молекулярных формаций.

Для примера рассмотрим одно из данных свойств материи – динамику ядерного уровня. Доказательством того, что вода – энергетически эффективное соединение и от нее возможно получить колоссальный энергетический выход, является факт выделения энергии в ходе реакций термоядерного синтеза. Разложив воду одним из имеющихся методов с выходом водорода и направив газ в установку термоядерного синтеза токамак либо другую, на выходе мы получим, что на разложение воды мы затратили меньше энергии, чем имеем в результате термоядерного синтеза.

Выходит, применяя другие свойства материальных объектов, субстрата, отличающиеся от свойств химического уровня, мы имеем выход энергии от данных молекул. В нашей исследовательской работе рассматриваются квантовый уровень материи и применение квантовых физико-химических свойств материальных объектов, стыковка квантового уровня с физико-химическим, применение туннельной эмиссии вырожденной плазмы, электронного газа в процессах каталитической обработки ракетных топлив, в энергетических устройствах, химической технологии, процессах воздухоочистки, космической технике, далее построение энергетического устройства (ЭУ) на основе применения данных, квантовых свойств материальных объектов и применение ЭУ в аэрокосмической промышленности, исследованиях космического пространства.

Физические свойства квантового уровня материальных объектов позволяют нам иметь положительный выход энергии от взаимодействия процессов, обусловленных свойствами данного уровня с химическими объектами, и, соответственно, низкомолекулярные неорганические соединения энергетически эффективны и могут быть использованы в качестве источника энергии.

Доказательство эффективности применения данных свойств материальных объектов в процессах выработки энергии следующее. Рассмотрим один из физических процессов, обусловленных свойствами квантового уровня материальных объектов, – туннельный эффект, преодоление квантовыми частицами энергетического барьера, носителем туннельного эффекта, то есть рабочее тело, материальный объект на физико-химическом уровне обозначен, полупроводник (см. лит. 3, 13).

Энергетическая трата в процессе катализа, применяя данный квантовый эффект, небольшая и позволяет нам разложить воду на составляющие – водород и кислород; далее, направив водород на сжигание, на выходе энергетического устройства мы можем иметь выход энергии, вероятно, больше, чем нами затрачено на разложение воды. Рассмотрим в качестве носителя эффекта арсенид галлия и далее аппаратную схему, применяемую для креации физико-химического процесса туннельного каталитического лизиса воды. Прежде всего нам необходим контакт туннельного эффекта с материальным объектом, для данного процесса применяем следующую аппаратную схему.

Так как нам необходим контакт туннельного эффекта с химической системой, мы применяем отличающийся от процесса в твердом теле, то есть контакта проводник-полупроводник, процесс туннельной эмиссии электронов (примеры электронной эмиссии на поверхность полупроводника – см. лит. 3, 13), выход электронной плазмы на поверхность твердого тела в результате преодоления квантовыми частицами энергетического барьера. Квантовой частицей, преодолевающей энергетический барьер, туннелирующей, в данной энергетической системе является электрон (лептон).

Уменьшение ширины энергетического барьера до величины, преодолимой квантовыми частицами, производим воздействием на полупроводник внешним электромагнитным полем, то есть относительно рабочего тела производим процесс туннельной эмиссии электронного газа, плазмы (вырожденной плазмы, далее – плазмы) на поверхность твердого тела, полупроводника воздействием внешнего электромагнитного поля. Холодная плазма, так как ее температура относительно невысока, поступает на поверхность рабочего тела, где образует пленку, контактный слой электронного газа.

Данное образование, физическое тело, пленка вырожденной плазмы, взаимодействует с низкомолекулярным неорганическим соединением, водой, так что энергия химических связей молекул соединения меньше, и, соответственно, энергетическая трата на разложение воды, то есть на разрыв химических связей, уменьшается. Процесс эффективного энергетического и массообмена плазмы с низкомолекулярным неорганическим соединением для данного взаимодействия материальных объектов креанируется максимально большой площадью контакта плазмы с химическим соединением, мы применяем контакт тонкой пленки жидкости с плазменной пленкой на поверхности твердого тела полупроводника, эмиттера электронного газа (см. лит. 16).

Рассмотрим химизм взаимодействия. В процессе взаимодействия тонкой водяной пленки поверхность полупроводникового эмиттера, покрытая плазмой, выполняет функцию щелочного металла на первой стадии процесса взаимодействия с водой, то есть до химического взаимодействия ядер атомов с реагентом, ионов металла, процесс взаимодействия электронных оболочек атомов щелочного металла с водой. Полупроводниковый (арсенид-галлиевый) эмиттер выполняет функцию катализатора – восстановителя молекул обрабатываемого ракетного топлива.

Рассматриваем несколько вариантов образования пленок жидкости в данной аппаратной схеме. Первый вариант ЭУ, техническая схема стационарная. По поверхности эмиттера, стационарной пластины, покрытой тонким слоем полупроводника, расположенной под определенным углом и установленной на горизонтальной твердой поверхности, стекает жидкость, процесс образования и движения пленки свободного истечения жидкости по твердой поверхности. Стационарный вариант необходим для предварительного расчета энерговыхода от энергетического устройства, то есть в опытной установке рассмотрим вариант формирования тонкой пленки расчетной толщины, в данном процессе распределение жидкости в пространстве-времени расчетное, то есть массообмена на поверхности твердого тела.

В данной схеме для формирования пленки необходимых заданных параметров используем вращаемое от привода твердое тело, экран-эмиттер, на поверхность объекта подается заданное количество жидкости под определенным давлением. В данном варианте процесса мы формируем пленку и, соответственно, массообмен жидкости с необходимыми расчетными параметрами. И второе: так как применяем центробежные силы, процесс частично независим от действия гравитационного поля, то есть процесс выработки энергетической установкой энергии независим от расположения ЭУ в пространстве.

Применение воды в энергетических устройствах методологическое, не является самоцелью, существует огромное количество устойчивых эндотермических соединений, в том числе водородсодержащих соединений, в квантовых энергетических устройствах применимо в том числе огромное количество других соединений. Развивается водородная энергетика, СВЧ-энергетика.

## Часть первая

### Глава первая. Применение туннельной эмиссии вырожденной плазмы, электронного газа, свойств вырожденной плазмы в процессах каталитической обработки ракетных топлив, в энергетических устройствах, химической технологии, процессах воздухоочистки, космической технике

Ближайшая перспектива освоения нами космического пространства – это дальние пилотируемые полеты на Марс. В долговременной космической экспедиции есть следующие области, входящие в общую схему процесса исследования космического пространства: первое – обеспечить максимальное количество массы полезного груза относительно массы космического корабля и энергоносителя, то есть научно-исследовательской аппаратуры.

В данную схему вписывается рассматриваемое энергетическое устройство.

В первую очередь устройство компактно, имеет малую массу, вырабатывает энергию. Геометрическая форма ЭУ – диск, в условиях укладки и расположения устройства в замкнутых, цилиндрической формы частях, оболочках космического корабля форма эргономически, геометрически удобна. Далее – ближайшая перспектива: организация на Марсе постоянных поселений с целью проведения научно-исследовательских работ.

Рассмотрим вариант применения энергоустройства. Топливо – неорганические соединения, находящиеся в планетарной, космической среде, применяем в процессах исследования космоса автоматическими и пилотируемыми устройствами.

Рассматриваемые планетарные топлива – вода, диоксид углерода. На Марсе, вероятно, будет открыта в антропном, необходимом количестве вода, диоксид углерода обнаружен. Рассматриваемое устройство применяем для обеспечения исследовательских экспедиций и работы автоматических исследовательских устройств в различных областях Марса, рассматривая баланс в грунте Марса вода/углекислотный лед, так что энергоноситель – низкомолекулярные неорганические соединения. Применяя схему установки выработки энергии из воды, мы проводим процесс лизиса жидкого диоксида углерода в тонкой пленке на туннельном эмиттере до монооксида углерода, то есть топливная смесь, состоящая из монооксида углерода, водорода и кислорода, формируется из добываемой на поверхности Марса углекислоты.

Второе: схему и метод, применяемые в установке, мы можем использовать в модифицированном устройстве – датчике обнаружения на Марсе воды. А это значит, что если в марсианской атмосфере есть мельчайшие водяные кристаллы, применение туннельного эмиттера, определенным образом настроенного, и газоанализатора водорода креацинирует нам методику обнаружения данного соединения.

Третье: в условиях орбитального полета вокруг Земли либо других планет мы можем применить ЭУ-диск, где полукамера синтеза, эмиттер, есть генератор реактивной тяги в качестве искусственного спутника планеты, запускаемого с космического корабля экипажем либо автоматически, и в качестве топлива для устройства использовать диоксид углерода либо жидкость (воду). Данный технический аспект применения энергетических устройств, работающих в условиях космического полета, особенно эффективен, так как в условиях открытого космоса наблюдается дефицит топлива (субстрата), максимальный относительно планетарных условий.

Описание работы энергетического устройства, работающего в условиях Марса. В схему работы энергореактора, ЭУ включены следующие технические узлы, элементы и процессы. Процесс термолиза низкомолекулярного неорганического соединения, углекислоты в тонкой пленке импульсами электромагнитного (ЭМ) поля, СВЧ на быстровращаемом экране-эмиттере – параболоиде.

В техническую и физико-химическую структуры рабочего тела экрана-эмиттера вырожденной плазмы вложены следующие свойства. Материал поверхности экрана, обращенной к источнику СВЧ-поля, туннельный полупроводник.

Импульсы ЭМ поля генерируют в массиве полупроводника электрический ток, изменяют форму энергетического барьера, электронный газ туннелирует на поверхность эмиттера, и на поверхности параболоида образуется тонкая пленка холодной электронной плазмы. Жидкий диоксид углерода, поступая через штуцер на быстровращаемый экран-эмиттер, образует на его поверхности тонкую пленку, молекулы диоксида углерода взаимодействуют с электронной плазмой, так что химические связи ослабевают и, соответственно, трата энергии на процесс термолиза жидкой пленки существенно уменьшается. Физический процесс туннелирования электронного газа необходим для приведения энергетического баланса физико-химического процесса генерации и горения монооксида углерода и ЭУ в целом к энергетически выгодному экзовыходу энергии.

Экран-эмиттер подключен к «внешнему» источнику электрического тока, то есть включен в электрическую цепь. Данный контакт массива экрана с источником электрического тока необходим для возобновления реагирующего с молекулами жидкости электронного газа-катализатора. «Ниже» экрана-эмиттера расположены источник СВЧ-поля и камера сгорания топливной смеси. В условиях Марса диоксид углерода находится в твердом состоянии, углекислоту мы переводим в жидкое состояние на выходе к экрану.

Рассмотрим процесс взаимодействия дисперсированного углекислотного льда с плазменной пленкой на поверхности туннельного эмиттера в полой трубке, так что есть образование жидкой пленки. Есть два процесса, креанирующих жидкий диоксид углерода: взаимодействие твердой углекислоты с электронной (вырожденной) плазмой и растворение твердого диоксида в жидкой углекислоте. Рассмотрим данные процессы.

Первое: процесс в вакууме. Испаряем твердую углекислоту в вакууме, так как есть взаимодействие льда с плазмой, соответственно, креанируем давление газа, соответствующее поддерживающему жидкое агрегатное состояние диоксида углерода. Далее рассмотрим физико-химический процесс взаимодействия плазмы с молекулами твердого диоксида углерода.

Молекула диоксида углерода в целом не поляризована, электроны плазмы взаимодействуют с атомами кислорода в целом неполяризованными, так как в линейных молекулах идет процесс компенсации дипольных моментов молекулами твердого диоксида углерода, атомы кислорода и в процессе компенсации электроотрицательны, далее диоксид переходит в жидкое состояние. В случае обнаружения в определенных областях Марса постоянной концентрации в поверхностном грунте твердого диоксида углерода мы можем применить данный грунт в качестве топлива, выделив углекислоту и применив подачу диоксида углерода на экран туннельного эмиттера ЭУ.

Первое: передвижная научно-исследовательская платформа получает постоянный источник энергии. Второе: мы исключаем загрязнение космоса и, в частности, других планет делящимися материалами, то есть радиоактивными веществами, так мы исключим долговременное взаимодействие техносферы Земли с аспектами космоса, нерасчетными заранее, такими как наличие на Марсе, других планетах жизни. Рассматривая перспективу освоения дальних планет, данное плазмохимическое ЭУ может быть использовано в качестве движителя орбитального научно-исследовательского спутника.

Большие планеты Солнечной системы обладают кольцами, и в данных образованиях, вероятно, содержится не только минеральная пыль, но и лед низкомолекулярных неорганических соединений. В процессе взаимодействия с холодной вырожденной плазмой эмиттера ледяная пыль превращается в газ, то есть возможно создание в зависимости от напряженности заряда в кулонах, равномерно распределенного по поверхности экрана-эмиттера, и концентрации на орбите кристаллов льда, содержащихся в кольцах планет, тяги расширения газа. Постановка эксперимента следующая: на борту самолета испытания невесомостью проводится процесс, в определенном временном интервале самолет находится в свободном падении. Построим на рассматриваемом техническом борту отдельную герметичную камеру, создадим в ней вакуум и далее поместим туда движитель расчетных размеров. В точке свободного падения и отрыва от поверхности подаем в вакуум поток ледяных кристаллов, соответствующий параметрам материального потока кольца дальней планеты, процесс движения аппарата снимаем на видеокамеру.

Применение модифицированного ЭУ в процессе исследования космического пространства. Рассмотрим конструкционную схему устройства, созданную на основе энергетического, так как данное устройство является детектором наличия в открытом космическом пространстве искомого низкомолекулярного химического соединения, воды. Камера сгорания, защитная оболочка, корпус-обечайка в данном устройстве не применяются. Основные конструкционные элементы детектора следующие: экран-эмиттер, покрытый туннельным полупроводником – арсенидом галлия, антенна излучения СВЧ электромагнитного поля, газоанализатор на водород.

Энергия, необходимая для функционирования устройства, поступает либо от космического корабля, либо от блока питания, либо от других хранящих или производящих энергию устройств. Схема работы устройства следующая: антенна излучения, источник СВЧ электромагнитного поля (примеры источников СВЧ – см. лит. 9, 10) облучает экран-эмиттер, диэлектрик, покрытый слоем полупроводника, далее в процессе взаимодействия с электромагнитным полем полупроводник испускает, туннелирует холодную электронную плазму, заряд.

Электронный газ равномерно распределен по поверхности эмиттера, кристаллы воды малых размеров на большой скорости сталкиваются с поверхностью и взаимодействуют с источником электромагнитного поля и плазмой, далее вода, разлагаясь на водород и кислород, взаимодействует с газоанализатором. На работу данного устройства энергетическая трата меньше, так как в работе детектора воды в открытом космическом пространстве применен туннельный эффект.

### Глава вторая. Объекты эффекта и туннельный эффект в энергетическом устройстве

Рассмотрим объекты туннельного эффекта, то есть свойства и характеристики частиц субстрата, обуславливающие возможность обнаружения сторонним наблюдателем данного физического процесса и граничные условия существования, то есть осуществления данного процесса обнаруживаемыми наблюдателем частями, частицами материального субстрата.

Данная часть материального субстрата – газ, состоящий из квантовых частиц, лептонов, другими словами, электронов и далее более локализованных относительно стороннего наблюдателя частиц атомов, нуклонов, ядер части субстрата, твердого тела, определенного нами в целом, что объект есть кристалл полупроводника химического соединения, арсенида галлия. В целом мы можем утверждать, что данные лептоны и нуклоны организованы в пространстве-времени и образуют кристаллическую решетку.

Далее – силы, определяющие возможность взаимодействия между частицами субстрата, и обстоятельства, определяющие возможность обнаружения туннельного эффекта. Определяющая сила – сила взаимодействия между зарядами противоположного знака лептонов, электронов и нуклонов ядер кристалла полупроводника, и нам известно, что сила взаимодействия между зарядами нуклонов и ядер определяет химическую связь в веществе, химическом соединении и относительно туннельного эффекта, туннельной эмиссии – ширину энергетического барьера, преодолеваемого квантовыми частицами, электронами.

Характеристики частиц субстрата, определяющие возможность наличия обстоятельств преодоления энергетического барьера, то есть силы взаимодействия между зарядами противоположного знака, рассмотрены далее (прим. см. лит. 3, 13). Заряд стационарных относительно наблюдателя нуклонов так организует электронный газ, что химическая связь в кристалле обобщена, то есть определенные электронные оболочки надмолекулярны, имеются общие для кристалла полупроводника в целом, внешние геометрически в пространстве-времени электронные оболочки, а графически в зонной теории строения твердых тел, есть зона проводимости, более нижняя электронная оболочка в пространстве-времени и графически в энергетическом спектре электронных уровней атомов кристалла расположенная ниже валентная зона.

Между ними «располагается» вакуум, то есть пустая, другими словами, запрещенная зона и в спектре энергетических уровней, геометрически «область» пространства-времени, окружающая нуклоны ядер атомов кристаллов с вероятностью нахождения в ней лептонов намного меньше единицы.

Наиболее внешняя геометрически, в пространстве, общая для всего кристалла полупроводника, и исходя из этого надмолекулярная электронная оболочка в спектре энергетических уровней, согласно зонной теории строения твердых тел, изображается выше всего, заполнена электронным газом и соответствующему функционально электронному газу, образующим металлическую связь в кристаллах проводников, то есть физико-химические процессы на данном электронном уровне (уровнях) характеристически соответствуют металлической связи, и функционально данный уровень обеспечивает проводимость электричества. Но так как есть дополнительные параметры и зависимости, то проводимость в полупроводнике, энергетический уровень отличается от имеющей место в металле, проводнике электрического тока.

Имеют существенное значение форма и величина потенциального барьера. Первое: форма потенциального барьера, согласно зонной теории строения твердых тел, становится треугольной, так как под действием внешнего электромагнитного поля наблюдаем наклон энергетических зон, соответственно, вероятность туннельного перехода увеличивается, общая величина энергетического барьера определяется физико-химической структурой полупроводника, процессом делокализации в поле заряда ядер атомов кристалла электронного газа.

Далее рассмотрим процесс туннелирования, просачивания туннельной частицы сквозь потенциальный барьер, и энергию, затрачиваемую квантовой системой на данный процесс. Данный процесс обусловлен волновыми свойствами квантовых частиц, то есть делокализацией в пространстве (пространстве-времени), такой что частица находится и на более высоком энергетическом уровне, и, соответственно, волновая функция частицы соответствует своим значением данному более высокому уровню.

Энергии на данный процесс квантовой системой не затрачивается, так как переход обусловлен квантово-волновым характером самой частицы, а не энергетическим взаимодействием со сторонней единицей субстрата.

Делаем следующий вывод исходя из имеющихся у нас данных: управлять данной квантовой системой с целью выработки энергии, применяя туннельный эффект, возможно тремя методами.

Первое: управлять физико-химической структурой материального объекта, то есть полупроводника, квантово-волновой структурой частиц субстрата адронов и лептонов, меняя ее так, что общая ширина энергетического барьера уменьшается. Второе: управляя квантово-волновой характеристикой. Частицы квантовых размеров отличаются квантово-волновым дуализмом отдельной частицы, в данном варианте электрона (лептона), так что частица становится более делокализованной и более соответствует высшему энергетическому уровню. Третье: управлять формой энергетического барьера.

Рассмотрим третье. Наклон энергетической зоны полупроводника во внешнем электромагнитном поле увеличивает вероятность прохождения электроном энергетического барьера. Соответственно, применяя воздействие электромагнитным полем на электронные оболочки полупроводника, энергетические зоны, продуцируем переход электрона в возбужденном состоянии на более высокий уровень с вероятностью более высокой. Для рассматриваемого устройства выбираем третий метод.

Для первых двух методов возможен иной подход: управлять не дуальностью поля, части поля, частицы, а изменять характеристики проводника поля, а именно пространства-времени, управлять мерностью пространства, то есть применять источники гравитационного поля для управления туннельным эффектом.

Энергия, затрачиваемая нами на туннельный эффект, есть энергия, необходимая для управления формой энергетического барьера, наклон энергетических уровней во внешнем поле, увеличивающий вероятность прохождения барьера квантовой частицей, и энергия на сам эффект квантовой либо другой системой не затрачивается, а затрачивается на процесс изменения граничных условий барьера, то есть на управление барьерными стенками. И если экспериментально доказать, что энергии на управление стенками потенциального барьера в сумме с энергией на лизис воды и энергии, затрачиваемой на подпитку системы, обусловленной уносом холодной плазмы-катализатора, затрачивается меньше, чем выделится в камере сгорания водорода в кислороде, то мы сможем утверждать, что данное устройство в космических условиях, ЭУ, находящееся на борту космического корабля, в пределах либо на поверхности изучаемой планеты, энергетически эффективно.

### Глава третья. Взрывобезопасность энергетического устройства

Для того чтобы утверждать, что данное ЭУ каталитического лизиса воды, катализатор-полупроводник, в рабочем режиме образования и горения газовой смеси работает так, что данная работа не вредит оператору, управляющему работой, и окружающей среде, необходимо рассмотреть данную систему на взрывобезопасность, оценить следующий параметр газов и газовой смеси.

Данный параметр – пределы взрывоопасности (взрываемости) газовой смеси, то есть смесь водорода и кислорода, определенного процентного взаимоотношения в данных пределах, рассматриваем в % (об.), безопасна и не взрывается относительно имеющихся параметров температуры и давления. Концентрационные пределы детонационного, взрывного сгорания водорода в смеси с воздухом следующие: 10% (об.) для нижнего предела и 59% (об.) для верхнего предела при нормальных условиях.

Верхний предел соответствует составу смеси с максимальной концентрацией водорода с минимальной, в более широких, чем предел детонации, пределах смесь взрывобезопасна.

Второй относительно проверки энергоэффективности устройства эксперимент проводится с целью определения энергетической эффективности работы аппарата c заданными параметрами горючей газовой смеси. Он проводится в герметичной экспериментальной установке. В камере синтеза устанавливается газоанализатор и датчики температуры.

Первое: концентрация водорода в газовой смеси, заданная управляющими параметрами устройства, составляет менее 10%, смесь пересыщена кислородом. Во-первых, это необходимо для обеспечения полного использования водорода; во-вторых, исключает загрязнение среды газом и нарушение баланса воды в экосистеме; и в-третьих, обеспечивает взрывобезопасность устройства.

Смесь до 10% (об.) водорода в воздухе горит, так как распространение пламени исходя из данных (прим. см. лит. 4) возможно, если инертного газа в смеси содержится менее 95%, исходя из того, что газ – азот. Положительный результат эксперимента дает нам возможность утверждать, что работа устройства с параметрами горючей смеси, соответствующими требованиям взрывобезопасности, энергетически эффективна. Значения концентрационных пределов детонационного взрывного сгорания водорода в смеси с воздухом из разных источников до сих пор разнятся, другое, не менее распространенное значение – 4% (об.) для нижнего предела и 75% (об.) для верхнего предела.

### Глава четвертая. Физико-химические процессы в энергетическом устройстве

Физико-химические процессы, участвующие в работе плазменно-химического энергетического устройства и включенные в энергетический баланс установки, следующие.

1. Процесс СВЧ термолиза воды в тонкой пленке 2HO2H + O, ЭХП (энтальпия химического процесса) = 241,82 КДж/моль * R=2 (далее учитывается снижение энтальпии и, соответственно, энергорасхода, так как есть изменение энергии химических связей воды в процессе взаимодействия плазмы с водяной пленкой, см. 2, 4), процесс эндотермический затратный. 2 2 2

2. Процесс горения водорода в кислороде 2H + O2HO, ЭХП = 241,82 КДж/моль, реакция экзотермическая. 2 2 2

3. Процесс взаимодействия электронной плазмы с водяной пленкой НO + e – каталитический процесс ослабления внутримолекулярных связей. В данном процессе электронная плазма катализатор-восстановитель взаимодействует с водородом воды, так что энергия внутримолекулярных связей в целом уменьшается. 2

3.1. Взаимодействие электронной плазмы с водородными связями воды НО…Н + e – каталитический процесс, так как атом водорода может образовывать связи с несколькими атомами, и одна из связей невалентная, то есть водородная, вода образует связи с плазменной пленкой, в данном процессе плазма – акцептор протона воды, и далее происходит уменьшение плотности водородных связей в водяной пленке, процесс экзотермический, вектор процесса направлен к плазменному восстановлению водорода, находящегося в молекуле воды, до Н. 2 2

Физико-химические процессы относительно варианта формирования тонкой пленки жидкости, применяя динамики движущихся, вращаемых объектов, поверхностей. Рассмотрим данные процессы более подробно. Первый процесс – термолиз воды (примеры процессов термолиза см. лит. 4), тонкой пленки жидкости, параметры объекта: толщина и движение пленки в пространстве-времени, массообмен – соответствуют необходимым критериям, так как мы управляем динамикой вращения поверхности твердого тела.

Управляющие параметры, позволяющие иметь пленку жидкости необходимой толщины, скорость вращения вала привода двигателя, соответственно, рабочего тела эмиттера, его поверхности и параметр массообмена, объем воды в единицу времени, подающейся, применяя штуцер, на вращаемую поверхность.

Термолиз водяной пленки, катализируемой холодной плазмой, равномерно распределенной по поверхности эмиттера, осуществляется следующим образом. Так как молекула воды, состоящая из более электроотрицательного атома кислорода и двух атомов водорода, – электрический диполь, первое, происходит ориентация молекул в пленке относительно равномерно распределенного по поверхности эмиттера электрического заряда плазмы, далее имеет место взаимодействие электронного газа с химическими связями воды, внутримолекулярными и водородными.

Воздействие плазмы на молекулы жидкости соответствует взаимодействию щелочных металлов, электронных облаков атомов с водой, то есть до взаимодействия ионов щелочного металла с жидкостью.

Более электроотрицательная часть молекулы воды – кислород – взаимодействует с плазмой, притягивает электроны, заряд атома в молекуле компенсируется свободными электронами плазмы, и, соответственно, внутримолекулярные связи ослабевают, так что трата энергии на СВЧ термолиз (пример СВЧ термолиза воды см. лит. 9), осуществляемый воздействием внешнего источника электромагнитного поля на химические связи жидкости, меньше по сравнению с расходом энергии на термолиз пленки, не катализируемый плазмой. Второе: снижается температура лизиса воды, и, соответственно, термическая нагрузка на эмиттер уменьшается. Далее газовая смесь, образовавшаяся в результате разложения воды, состоящая из водорода, кислорода, поступает в камеру сгорания, где водород окисляется кислородом с выделением тепловой энергии.

Процесс взаимодействия электронного газа, плазмы, находящейся на поверхности туннельного эмиттера с молекулами воды, следующий.

Свободные электроны плазмы взаимодействуют с трехатомной молекулой, входя в систему со стороны атомов водорода к более электроотрицательному атому кислорода. Так как электроны свободные, то есть не связанные с ядрами атомов, то они способны конкурировать с электронами атомов водорода, не локализованными по молекулярным орбиталям к кислороду, за связь с ядром кислорода.

Таким образом, процесс трехступенчатый: ориентация диполя молекулы к заряду, продвижение ко входу в электромагнитную систему молекулы со стороны водорода и конкуренция свободных электронов за связь, так что энергия связей уменьшается и возможен процесс отделения, восстановления водорода свободным электроном плазмы и образование свободного атома водорода и гидроксильной группы, то есть под действием свободных электронов плазмы вода в прилегающем к плазменному слою, в зависимости от энергии туннелировавших электронов, изменяет свой характер на щелочной.

Процесс в целом рассмотрим элементарный, относительно возможности проведения в нем процесса туннельной эмиссии, объем кристалла арсенида галлия. Физико-химическая структура кристалла такова, что арсенид галлия содержит в ней энергетические уровни, электронные оболочки, общие для кристалла в целом, то есть надмолекулярные электронные формации. Далее именно от данных общих для всего кристалла электронных уровней происходит такой отрыв электрона, что энергии на данный процесс затрачивается существенно меньше, чем на какой-либо другой, то есть выход и образование свободных электронов в процессе низкотратного преодоления квантовыми частицами энергетического барьера.

Энергетическая трата существенно меньше, так как система электронных уровней, энергетические оболочки кристалла, обладают параметрами, отличающимися от соответствующих характеристик молекулярных орбиталей.

Дополнительная трата на данный процесс – это энерготрата на усиление и стимулирование выхода электронов, туннельной эмиссии на поверхность внешним электромагнитным полем, то есть энерготрата, часть суммарной траты на работу антенны излучения СВЧ. Электромагнитное поле данного устройства воздействует на поверхность эмиттера плазмы и на рассмотренный ниже процесс.

Далее на поверхность кристалла эмиттера, покрытого пленкой плазмы, то есть на поверхности твердого тела есть распределенный отрицательный заряд, поступает жидкость, распределяемая по ней центробежными и молекулярными силами в виде тонкой пленки.

Необходимая для эффективного, то есть энергетически выгодного процесса лизиса расчетная толщина пленки жидкости определяется, первое, исходя из физическо-химических свойств полупроводника. Максимального объема плазмы, генерируемого кристаллом минимально возможных размеров, определенный объем, заряд в кулонах, способен катализировать определенное количество находящейся в пленке жидкости. Что, в свою очередь, определяется квантовой физико-химической структурой кристалла полупроводника и такой толщиной слоя воды, что жидкость реагирует полностью с объемом выделяющейся плазмы так, что химические связи воды ослабевают настолько, что вероятно, что процесс в целом экзотермичен, то есть толщина пленки определяется экспериментально.

Источник внешнего электромагнитного поля, антенна излучения, воздействует на пленку воды заданной толщины, и в процессе взаимодействия поля с ослабленными плазмой внутримолекулярными и водородными связями химические связи молекул в пленке разрываются, вода разлагается на составляющие – водород и воду. Вырожденная плазма, электронный газ, распределенный по поверхности экрана-эмиттера, есть катализатор, в процессах на уровне химических реакций не расходуется, и исходя из этого подпитка необходима для возмещения уноса плазмы газами.

Далее, для исключения из процесса энергетических потерь частота подпитки по расположению максимумов противоположна частоте подачи внешнего переменного импульса от СВЧ-источника, и подпитка в общей цепи взаимосвязанных событий в устройстве в пространстве-времени есть первый акт. Делаем следующий вывод: восстановителем связей воды в данном энергетическом устройстве является полупроводник, в кристалле арсенида галлия есть энергетические уровни, с которых электроны способны туннелировать с выходом на поверхность, процесс туннельной эмиссии и образования плазмы на поверхности эмиттера.

Процесс возможно стимулировать внешним электромагнитным полем, уменьшая ширину энергетического барьера, подпитку расхода электронов осуществляем, подведя к полупроводнику с внешней стороны, подсоединив к контактам электрическую цепь, находящуюся под переменным электрическим током, противоположным по частотным характеристикам полю антенны излучения максимально для уменьшения нецелевого расхода энергии. Так как арсенид галлия в процессе не расходуется, определяем, что процесс каталитический, плазмохимический каталитический процесс туннельной эмиссией электронов полупроводника на поверхность и далее в тонкую пленку жидкости.

В энергетический баланс устройства включены следующие параметры: для расчета необходимо знать энтальпию реакции лизиса воды, для того чтобы рассчитать количество энергии, затрачиваемой на работу антенны излучения СВЧ, электромагнитного поля, расходуемой на процесс разложения единицы массы воды в пленке на поверхности в единицу времени, далее необходимо рассчитать энергетический выход от камеры сгорания, количество энергии, выделяющейся в процессе горения газовой смеси, состоящей из водорода и кислорода, в расчете учитывается энтальпия химической реакции горения водорода в кислороде.

В расчете массового баланса жидкости скользящей пленки по поверхности воды необходимо учесть зависимости толщины пленки жидкости от скорости и объема подачи воды на эмиттер и скорости вращения вала привода, сцепленного механически с приемной антенной СВЧ поля, далее учитываются вязкость воды и смачиваемость поверхности экрана приемной антенны. Учитывая данные параметры, мы имеем заданную толщину термолизуемой пленки и метод управления жидкостью применяем, управляющие (см. выше) параметры, независимо от положения в пространстве работу устройства.

Далее, рассчитаем зависимость параметров выходящего электромагнитного поля от количества подаваемой на антенну излучения электрической энергии и находим зависимость потенциала электрического поля равномерно распределенной по поверхности эмиттера плазмы, измеряемой в кулонах, от напряженности поля антенны излучения на поверхности антенны приема и расстояния от антенны излучения до поверхности туннельного эмиттера.

Поставим эксперимент: найдем зависимость температуры лизиса воды электромагнитным полем от потенциала холодной электронной плазмы на поверхности эмиттера и управляемой толщины пленки жидкости. Вычислив, исходя из полученных данных, количество энергии, подаваемой на приемную антенну от антенны излучения, снижающее температуру лизиса, и вероятностный результат, что данная величина меньше выхода энергии от реакции окисления в камере сгорания.

Убедившись в данном, мы сможем утверждать, что применение квантовой структуры энергетических уровней кристалла полупроводников, в том числе арсенида галлия, соответственно процесса туннельной эмиссии электронного газа на твердую поверхность и взаимодействия электронов холодной плазмы с тонкой пленкой, скользящей по поверхности эмиттера, то есть катализ холодной плазмой лизиса жидкости в пленке дает нам экзотермический выход от процесса термолизиса воды с последующим горением компонентов. То есть применение (см. выше) физических свойств квантового уровня материальных объектов и взаимодействие данных свойств с химическим уровнем материи позволяет наряду с физическими свойствами ядер атомов, реакции термоядерного синтеза, дает нам метод применения низкомолекулярных неорганических соединений, воды, в качестве источника энергии, топлива.

Данная величина, а именно рассмотренная энергетическая трата, в расчете есть в сумме с необходимой затратой электрической энергии на подпитку баланса электронного газа в системе, так как плазма диффундирует и далее уносится газами, не возобновляется необходимо доставить электроны (лептоны) в систему, применяя контакт находящегося под током проводника с полупроводником эмиттера, количество затрачиваемой энергии на подпитку плазмы находится экспериментально.

Далее, необходимо учитывать радиоотражающие свойства слоя полупроводника и массива антенны приема электромагнитного поля, численные значения данных характеристик. Экспериментально определяется толщина полупроводникового покрытия приемной антенны эмиттера (примеры формирования полупроводниковых пленок заданной толщины см. лит. 16).

### Глава пятая. Выбор конструкционных материалов и геометрической формы частей аппарата и энергетического устройства в целом

Выбор материала антенны приема электромагнитного поля обусловлен потерями электронов в процессе перехода, в том числе и туннельного, квантовых частиц из массива полупроводника в проводник. Исходя из этого, наносить полупроводниковое покрытие на проводник энергетически невыгодно, и вероятно, что потери энергии превысят эффект применения туннельной эмиссии электронов, поэтому применяем материал, способный отражать электромагнитное поле. Причем сопротивление массива материала, контактирующего со слоем полупроводника, должно настолько превышать сопротивление проводника, что величина потерь минимальна и эффект туннельной эмиссии энергетически выгоден.

Данный материал – диэлектрик. То есть антенна приема электромагнитного поля, массив диэлектрика, форма массива – параболоид вращения, обусловлена методом управления массообмена воды и толщиной пленки, вращением вокруг оси симметрии поверхности вогнутого тела параболоида, далее, применяя данную форму, равномерно распределяем поток лучистой энергии по поверхности полупроводникового покрытия.

Геометрическая форма космического технического объекта в целом c точки зрения энергетической и химической технологии – плоская башня, c других точек зрения – эллипсоид, диск, обусловлена применением в данной конструкции центробежных сил. Плоская башня состоит из двух эллиптических днищ, в которых в верхней, более суженной, части есть отверстие правильной формы, геометрически – окружность с центром симметрии, расположенным на оси симметрии днища, к эллиптическому днищу либо приварена, либо закреплена на крепежных деталях полусфера, камера синтеза топливного газа. Далее выше относительно одного из днищ располагается цилиндрическая часть башни, обечайка, соединенная крепежными деталями либо приваренная.

В двух полусферах расположены камеры синтеза газа, далее в эллиптических днищах, секторах эллипсоида – камеры сгорания, в цилиндрической части – источник электромагнитного поля и генератор электрической энергии с лопастной турбиной. Давление расширяющегося газа принимают лопатки турбины, в подвеске турбины применены СП, исходя из этого потери на трение минимальны, выхлоп энергетического устройства – водяной пар, применяется далее в экосистеме космического корабля либо научно-исследовательского поселения.

Конструкционный материал полусферических камер синтеза, эллиптических днищ, обечайки, корпуса аппарата в целом должен обладать следующими свойствами. Первое и наиболее важное, так как данное устройство относится к аппаратам водородной энергетики (космической водородной энергетики) и в камерах синтеза, в камере сгорания у нас есть газ, водород в достаточно высокой концентрации, конструкционный материал должен быть устойчив к действию водородной коррозии.

Водородная коррозия – частный случай газовой коррозии, она обусловлена активной диффузией газа в толщу металла, изменяющей свойства конструкционного материала и приводящей к его разрушению, а также малым размером атомов газа.

Конструкционным материалом, подходящим по устойчивости к водородной коррозии, сохраняющим необходимые механические, то есть прочностные свойства в заданные параметрами синтеза водорода и его горения, должна быть легированная сталь. Распространенные в технике и технологии сплавы цветных металлов, к примеру дюралюминий, исключаются, так как не вписываются в температурные параметры горения водорода. Исключение – полусферическая камера синтеза, вероятно, так как для утверждения данного требуется постановка опыта, температура в камере синтеза по сравнению с камерой сгорания ниже, соответственно, применив дюралюминий либо другой сплав, мы снизим массу устройства.

### Глава шестая. Биохимический катализ

Наиболее распространены на планетарном уровне относительно синтетических, активны и достаточно эффективны катализаторы лизиса эндотермичных к атмосферному кислороду неорганических соединений, участвующие в процессе биогеоценоза, биосферные катализаторы. Масса биосферы относительно техносферы выше на несколько порядков, биохимически активные формы, живые молекулы данных соединений существуют в биосфере миллиарды лет, соответственно, энергетический вклад, то есть количество выработанной биосферой энергии с участием данных молекулярных форм, намного выше общего количества энергии, выработанной всей энергосистемой человечества за всю ее историю.

Таким образом, метод выработки энергии из эндотермичных к атмосферному кислороду низкомолекулярных неорганических соединений эффективен и работает в биосфере в течение миллиардов лет. Соответственно, одним из вариантов решения энергетического кризиса, обусловленного использованием в качестве топлива высокомолекулярных органических соединений, содержащихся в нефти, газе и каменном угле – невозобновляемых источниках энергии, является использование данных катализаторов и более каталитически активных форм, созданных на основе природных катализаторов в техносфере, то есть в устройствах и установках выработки энергии, в контексте данной работы устройств первого порядка в концепции субстратционной границы техносферы.

Рассмотрим данный катализатор. Это часть природного фермента хлорофилла, содержащегося в организмах растений, от древнейших сине-зеленых водорослей до высших растений, то есть физико-химическая и биохимическая система, содержащая в своем составе магний, металлопорфирин. В процессе каталитического разложения воды с участием данного химического соединения энергии, по сравнению с процессами прямого разложения, затрачивается существенно меньше, и потому применение данного процесса в устройствах первого порядка, то есть формирование каталитического покрытия, содержащего металлопорфирин, эффективно и выход энергии от данных устройств положительный.

Синтетические катализаторы лизиса воды

Кроме имеющихся в биосфере катализаторов разложения воды на водород и кислород, существуют синтетические соединения, и применение данных физико-химических систем в ЭУ эффективно. Рассмотрим данные химические соединения. Их применение в качестве прямого катализатора разложения воды на водород и кислород неэффективно, так как с водой данные химические соединения не взаимодействуют, но они настолько хорошо растворяют кислород, то есть молекулы кислорода образуют неустойчивые связи каталитического характера, что возможно применение соединения в качестве вторичного катализатора рабочего тела.

Подробнее в основных частях данной работы мы рассматривали процесс взаимодействия тонкой водяной пленки с холодной плазмой, вырабатываемой воздействием на экран-эмиттер электромагнитного поля. Ведущим процессом в данной установке является процесс туннельной эмиссии электронного газа на твердую поверхность полупроводника арсенида-галлия.

В данном процессе молекулы воды так взаимодействуют с туннелирующим на поверхность электронным газом, что химические связи ослабевают, плазма, рассматривая дипольную структуру молекулы воды, взаимодействует с водородом.

Поэтому применяем эмульсию на основе перфторана и воды, и, подавая через штуцер данную смесь на экран-эмиттер, мы имеем следующее. Молекулы воды находятся под воздействием трех сил, водород взаимодействует с плазмой, процесс восстановления, кислород образует слабые связи каталитического характера с перфтораном. Соответственно, в ЭУ мы применяем. HO + перфторан = ракетное топливо. 2


### Глава седьмая. Катализаторы, применяемые в ЭУ

Рассмотрим применяемые в процессах данных энергетических устройств катализаторы, механизм катализа, каталитическую активность, метод синтеза катализатора и нанесения на поверхность.

Данные катализаторы – катализаторы на основе биополупроводников металлопорфиринов, хлорофилла. В данных соединениях мы заменили полупроводниковую часть на синтетический полупроводник арсенид галлия. Катализатор металлопорфиринарсенидгаллия более термически устойчивый, чем хлорофилл. Методы нанесения на поверхность, закрепления и синтеза соединены в одном методе магнитосшития материала. В данной методике применяем электромагниты-соленоиды, установленные на расчетном расстоянии от экрана магнитосшития материала. Предварительно тонкие порошки металлопорфирина и арсенида галлия наносим на экран. Катализаторы – адсорбенты, они адсорбируют молекулы рассматриваемых соединений, соответственно, образуют ослабляющую внутримолекулярные связи каталитическую связь.

Мы применяем следующие катализаторы-адсорбенты: металлы, палладий, амальгаму металла адсорбера водорода, амальгаму палладия, пленкообразующую жидкость, катализатор, амальгамы металлов-адсорберов (адсорберов водорода), катализаторы – адсорбенты кислорода, перфтораны.

Газообразные катализаторы, применяем вырожденную плазму, лептонный газ, метод синтеза катализатора, применяем квантовый эффект, процесс туннельной эмиссии электронов на поверхность туннельного полупроводникового материала, применяемые нами эмиттеры – карбиды металлов, арсенид галлия. Механизм каталитической активности лептонных газов следующий: эмитирующие на поверхность полупроводника лептоны взаимодействуют с молекулами катализируемого соединения (пример – взаимодействие с полярными молекулами воды), далее осуществляется каталитический процесс лептонного ослабления внутримолекулярной связи полярных молекул воды.

Рассмотрим следующий квантовый катализатор: находящиеся в материале СП (ВТСП) электроны образуют квантовую, бозоновскую жидкость, часть неспаренных электронов контактна, соответственно, наблюдается процесс короткоимпульсного преодоления магнитного барьера. Магнитный барьер обуславливает процесс вытеснения магнитного поля на поверхность СП. Чем короче импульс на СП электрического тока, тем выше вероятность преодоления магнитного барьера, взаимодействия неспаренных электронов с внешними соединениями, контактного образования бозоновской жидкости. Далее в процессе охлаждения СП, аккумулирующего электроны, электроны внешних, контактирующих с поверхностью СП соединений сорбируются и отбираются в бозоновскую жидкость.

Мы применяем следующий процесс: когерентное поле квантового источника ЭМ поля (квантового генератора) упорядочивает структуру магнитного материала, процесс намагничивания когерентным полем внешнего источника охлаждает материал до СП.

Рассмотрим подробнее механизм катализа металлопорфиринарсенидгаллием и основу данного катализа – механизм фотокаталитического лизиса воды на магниевом металлопорфирине биополупроводника хлорофилла.

Механизм фотокатализа хлорофиллом: биополупроводник хлорофилл в процессе воздействия на субстрат внешнего источника энергии, электромагнитного поля, солярного электромагнитного поля генерирует разность потенциалов на магниевом металлопорфирине, входящем в состав биомолекул. Металлопорфирин хлорофилла подключен к биополупроводниковой части биомолекулы, так что на данном элементе биокатализатор, есть возобновляемая реакция лизиса воды. В соответствии с данным механизмом мы заменили биополупроводниковую часть хлорофилла, синтезировали катализатор металлопорфиринарсенидгаллия, полупроводниковая часть катализатора металлопорфиринарсенидгаллия подключена к металлопорфирину, функционирует от внешнего источника тока либо внешнего источника электромагнитного поля, соответственно, на металлопорфирине есть возобновляемая реакция лизиса жидкости.

### Глава восьмая. Катализ лизиса воды магнитным полем

Нам известно, что в состав низкомолекулярного неорганического соединения воды входит водород, способный образовывать связи нековалентного характера. Ядро данного соединения, протон, способно к определенному эффекту поля (ЯМР), то есть в переменном магнитном поле ядро реагирует с магнитным полем частоты, равным процессу, образующему магнитный момент протона, и далее происходит расщепление энергетических уровней ядра, так что характер нековалентных связей, водородных связей меняется и, соответственно, энергия данных связей ослабевает. Исходя из этого делаем вывод, что переменное магнитное поле способно быть катализатором лизиса воды. Применяем следующую техническую схему процесса.

Облучаем от внешнего источника СВЧ электромагнитного поля (механизм С. проводимости см. лит. 7). Антенны излучения – экран-параболоид, состоящий из тонкого листа СП материала. В СП материале образуются токи наведения, так как бозоновская жидкость, состоящая из квантовосвязанных электронов, вытесняет магнитное поле к поверхности СП. На ней образуется тонкий «слой» переменного магнитного поля (динамический магнитный слой), ЯМР-катализатор процесса лизиса.

Переменное магнитное поле взаимодействует с молекулами воды, находящимися в тонкой пленке на поверхности вращаемого экрана, далее происходит сочетание полей СП и протонов, изменяется характер водородных связей, они ослабевают, и, соответственно, энергии на лизис воды последующим разрядом электромагнитного поля от СВЧ антенны затрачивается меньше, то есть возможен процесс с положительным выходом энергии от энергоустройства.

Каталитические свойства СП, применение эффекта Джозефсона в СП, в устройствах генерации энергии, ЯМР—Джозефсон процесс

В установке ЭУ мы используем эффект Джозефсона (механизм эффекта см. лит. 13), и для данного процесса генерации энергии применяем следующую схему. Два СП переложены диэлектриком, частота тока в СП соответствует ЯМР протона, к СП приложена разность потенциалов, через диэлектрик производим прокачку водорода, далее есть захват электрона водорода туннелирующей частицей и низкотратная ионизация водорода в протон.

Применяя в схеме формулу, лед-диэлектрик +2 СП = низкотратное разложение воды при низких температурах. Схема эффективна в космическом пространстве, учитывая низкую температуру вакуума.


### Глава девятая. Математический аппарат энергетического устройства

1. Формулы, описывающие процессы пленкообразования на вращаемом экране эмиттере-параболоиде, гидравлические процессы подачи жидкости, необходимые для управления толщиной пленки воды.

Для эффективного осуществления процесса управления толщиной пленки жидкости нам необходимо определить связь между толщиной пленки, количеством воды, выходящей через подающий жидкость на экран-эмиттер штуцер, и скоростью вращения экрана геометрической формы.

1) Формула расчета расхода жидкости через штуцер следующая:

G = q * g * π*d0² / 4*μ* √2g*h+W1² * R1²

либо

G = q * g * π * d0² / 4 * μ * W1 * √R1² – R2²,

где π = 3,14.

Далее,

G – массовый расход жидкости через отверстие,

q – плотность жидкости,

d0 – диаметр отверстия истечения,

h – напор,

W1 – угловая скорость вращения оболочки,

μ – коэффициент расхода,

R1 – внутренний радиус тонкостенной оболочки,

Rп – внутренний радиус свободной поверхности жидкости.

2) Уравнения «статики» жидкости в сосуде определенной формы

Согласно физической теории относительности поле, создаваемое вращением физического тела, и гравитационное поле, создаваемое статической массой, эквиваленты. Рассмотрим экран-эмиттер, сосуд с жидкостью относительно процесса образования первого поля, то есть предположим, что на жидкость действует потенциал поля, равномерно распределенный по поверхности сосуда, и исходя из этого жидкость принимает форму экрана и сосуд жидкость держит, то есть вода не выливается.

Затем найдем зависимость высоты слоя, равной в разных точках измерения данного параметра, так как потенциал, эквивалентный гравитационному полю, в данных точках один, то есть найдем зависимость высоты контактного слоя от объема поступившей жидкости.

2.1) Формула высоты контактного слоя жидкости,

решение исходя из уравнения

P = U² * qж / 2 * (R-r),

где

Р – давление жидкости на стенку вращаемого сферического сосуда либо сектора сферы,

U – угловая скорость вращения сосуда, экрана-эмиттера,

R – радиус пограничной поверхности,

r – радиус сферы, то есть внутренней поверхности сферического сосуда, либо максимальный внутренний радиус вращаемого сосуда – шарового (примем, что экран-эмиттер – полусфера) слоя

то искомое уравнение следующее:

2.2) Н = 2P / U² * qж

либо

H = 2P / 2 * π / 60 / n*qж,

где

Н – искомая высота контактного слоя жидкости,

qж – плотность жидкости,

n – число оборотов в минуту вала движителя устройства.

2.3) Уравнение «статического» объема жидкости, находящегося в сосуде сферической формы либо открытого сосуда-шарового слоя

Допустим, у сосуда-шарового слоя есть цилиндрическая отбортовка высотой выше, чем возможная высота слоя налитой в него жидкости, то есть жидкость не заполняет шаровой слой полностью, как в варианте распределения жидкости гравитационным полем стационарного объекта. Мы рассчитываем объем исходя из того, что жидкость принимает форму сосуда под воздействием поля, эквивалентного гравитационному, по формуле:

V = S * H – объем контактной жидкости,

где

S = 2π * Rп * Hп – площадь шарового пояса,

H – высота контактного слоя жидкости,

Rп – радиус сферы, вписывающийся в сегментную поверхность,

Нп – высота шарового пояса.

Примем вариант, что количество поступившей на поверхность экрана-эмиттера жидкости не более, чем необходимо для процесса пленкообразования, и нет протечки, поэтому жидкость поступает в сосуд полностью, то есть принимаем, что

G = V

G = 2π * Rп * Hп * H

либо

2.4) G = 2π * Rп * Hп * 2P / 2 * π / 60 / n * qж – уравнение управления системой.

Соответственно, тогда управляющие параметры, необходимые для управления толщиной жидкости:

n – число оборотов вала привода движителя,

h – напор жидкости.

Далее нам необходимо вычислить количество лучистой энергии, необходимой для проведения процесса разложения пленки жидкости заданной толщины на водород и кислород. Математическая модель взаимодействия антенны излучения электромагнитного поля с экраном-эмиттером электронной плазмы туннельным, выполняющего функцию антенны приема электромагнитного СВЧ поля, следующая:

2.5) П = Е * Hмаг – уравнение плотности потока СВЧ,

где

П – плотность потока энергии электромагнитного поля,

Е – напряженность электрического поля в вольтах на метр,

Нмаг – напряженность магнитного поля в амперах на метр.

2.6) Е = 120 * π * Нмаг – формула, связывающая измеренную напряженность электрического поля с напряженностью магнитного,

где

120 * π – волновое сопротивление «свободного» пространства, среды, размерность коэффициента,

qc = 120 * π, величина, приблизительно равная 377 Ом, есть размерность сопротивления, отсюда

П = 377* Нмаг,

П = Е²/377 – плотность потока энергии, количество энергии, проходящее за 1 секунду через площадь в один квадратный метр, КВТ/см², Вт/м², далее,

2.7) П1 / П2 = r1² / r2² – формула зависимости плотности потока энергии электромагнитного поля, измеренной в данной точке экрана-эмиттера электронной плазмы туннельного, выполняющего функцию антенны приема электромагнитного поля, от расстояния до антенны излучения СВЧ поля. Необходима для экспериментального определения количества энергии, необходимого для термолиза тонкой пленки жидкости заданной толщины, управляемой с применением модулирование n-числом оборотов вала привода движителя, соединенного с экраном-эмиттером параболоидом и h-напором жидкости, где, r1 и r2 – расстояние от рассматриваемых точек до антенны излучения электромагнитного поля.

Данный математический аппарат необходим в процессе определения температуры термолиза тонкой водяной пленки в условиях взаимодействия с электронной плазмой и определения энергетического расхода для достижения данной температуры. Так, данный показатель является определяющим возможность применения устойчивого низкомолекулярного эндотермического в условиях реакции с кислородом воздуха химического соединения воды, топливом ЭУ.


### Глава десятая. Выбор материалов элементов конструкции энергетического устройства

Прежде всего выбираем исходя из критериев соответствия материала техническим параметрам работы энергетического устройства и безопасности работы оператора материал (конструкционный материал) камеры плазмокаталитического термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране-эмиттере, то есть элемента конструкции энергетического устройства, предназначенного вырабатывать водород.

Камеры выработки водорода расположены в верхней и нижней частях плоской башни (диска, эллипсоида).

Экран-эмиттер электронной плазмы, катализатора лизиса воды расположен в верхней полусферической части диска, нижняя часть камеры выработки топлива, полуконическая, данная часть энергетического устройства является антенной приема энергии ЭМ поля.

Конструкция экрана-эмиттера, катализирующего процесс лизиса воды плазмы следующая: форма основания – параболоид вращения, чаша – материал массива диэлектрик. Предназначение массива чаши, состоящей из материала с данной физико-химической структурой, – отражатель СВЧ ЭМ поля в туннелирующее электронную плазму ПК покрытие.

Критерии соответствия для данного материала следующие: материал выдерживает соответствующие механические нагрузки, так как экран вращается, материал – диэлектрик, отражает радиоизлучение в частотном диапазоне лизиса воды, выдерживает термическую нагрузку в температурном интервале лизиса тонкой водяной пленки.

Данный материал (конструкционный материал) – стеклокерамика, то есть ситалл, кордиерит. Он отражает электромагнитное поле радиодиапазона частот волн в частотном интервале лизиса воды и выдерживает соответствующие механические нагрузки и температурные нагрузки термолизиса воды в пленке СВЧ ЭМ полем.

Ситалловая (кордиеритовая) подложка эмиссионного покрытия экрана, то есть туннелирующего плазму ПК арсенида галлия (карбида металла), такая, что на поверхности ее есть выемка, в канавке заподлицо расположен запитывающий туннелирующий слой-проводник, форма расположения на экране – спираль.

Далее выбираем материал стержня диэлектрической антенны излучения (антенны бегущей волны). Данный материал, работающий в условиях водородной среды, устойчивый к водородной коррозии и выдерживающий тепловые нагрузки термолиза воды, – кордиерит, то есть диэлектрический стержень антенны излучения СВЧ ЭМ поля кордиеритовый.

Далее рассмотрим конструкцию движителя экрана. Движитель экрана-эмиттера холодной электронной плазмы работает исходя из следующей технической схемы.

С внутренней стороны краевой части экрана-эмиттера электронной плазмы расположен токопроводящий СП, форма (сегмент сферы) – шаровой пояс. На поверхность экрана-эмиттера туннелирует под действием внешнего источника СВЧ ЭМ поля электронный газ, плазма, то есть поверхность эмиттера (и краевая поверхность соответственно) покрыта тонкой плазменной пленкой. Так как данный газ состоит из электронов, лептонов с полуцелым спином, соответственно, газ взаимодействует с магнитным полем, плазма выталкивается данным полем.

СП шаровой пояс – СП электромагнит, и, соответственно, СВЧ излучение проникает в зазор между электромагнитом и поверхностью эмиттера так, что на краевой поверхности есть выход плазмы. Электронный газ взаимодействует с СП электромагнитом, плазма выталкивается магнитным полем электромагнита (ЭСПа), давление газа эмитировавшей плазмы вращает экран на СП подвеске, соответственно, потери энергии на преодоление силы трения минимальны.

Материал (конструкционный материал) движителя, вращающего экран-эмиттер холодной электронной плазмы катализатора термолиза воды в тонкой пленке, работает в условиях температур плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке СВЧ полем соответственно, так как данный материал – ВТСП, материал СП – металлокерамика. Держатели СП выполнены из диэлектрического материала, выдерживающего температурную нагрузку в интервале температур лизиса и отражающего ЭМ поле, данный материал – кордиерит. Нижняя часть СП защищена кордиеритом от воздействия тепловой нагрузки СВЧ ЭМ поля, во внутренней полости держателей (кордиеритовых трубок) находится СП провод электрического тока.

Выбор конструкционного материала корпуса ЭУ и стенок отсеков. Конструкционный материал корпуса ЭУ (плоской башни), то есть обечайки корпуса, эллиптических днищ, полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, расположенных сверху и снизу ЭУ, торцевого подопорного борта в стационарном варианте ЭУ, стенок внутренних отсеков ЭУ, то есть полуконических нижних частей камер выработки водорода, расположенных внутри корпуса ЭУ, стенок центральной камеры, расположения платформы генераторов СВЧ ЭМ поля, элементов (частей) камеры термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии водорода в электрическую энергию, крепежных деталей платформы расположения генераторов СВЧ ЭМ поля, исходя из критериев соответствия характеристик материала техническим параметрам и условиям работы ЭУ, механическим, температурным и крионагрузкам.

Для корпуса ЭУ – титановый криосплав. Материал полусферических камер плазмокаталитической выработки водорода, устойчивый к воздействию крио и температур в интервале термолиза воды в тонкой пленке на вращаемом экране туннельном эмиттере электронной плазмы.

Выбор конструкционного материала тепловой и СВЧ изоляции камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода, термоэмиссионного преобразователя тепловой энергии горения водорода в электрическую энергию.

Теплопроводность титановых сплавов, конструкционных материалов корпуса ЭУ, полусферических камер СВЧ плазмокаталитической выработки водорода и нижних полуконических частей данных камер соответствует параметрам работы ЭУ, соответственно, прямое соприкосновение газовой смеси водорода с кислородом со стенками корпуса и внутренними частями ЭУ приведет к разогреву поверхностей. Исходя из этого, мы применяем соответствующий критериям безопасности термо- и СВЧ-изолирующий, защищающий стенки ЭУ от разогрева газовой смесью и СВЧ полем материал.

### Глава одиннадцатая. Техническое обоснование применения квантовых генераторов ЭМ СВЧ поля в процессе туннельной электронной плазмы, катализатора процесса лизиса воды в тонкой пленке

СВЧ ЭМ излучение квантового генератора (мазера) в том числе отличается от поля, образуемого устройствами не квантовой страты.

Так как ЭМ поле квантового генератора когерентно, то взаимодействие излучения генератора с применяемым в ЭУ плазмокаталитического лизиса воды в тонкой пленке с туннельным ПК покрытием вращаемого экрана эмиттера электронной плазмы отличается от взаимодействия c СВЧ ЭМ полем, образуемым генераторами, не квантовыми в страте. Мы применяем когерентность СВЧ ЭМ поля генератора, так как выход плазмы, процесс туннельной эмиссии электронного газа на поверхность ПК выше во взаимодействии ПК туннельного покрытия эмиттера данным полем.

Взаимодействие тонкой структуры когерентного СВЧ ЭМ квантового генератора (лазера) с электронными уровнями ПК характеризуется более эффективным поглощением энергии поля, так как плотность соответствий максимумов и минимумов организованной тонкой структуры когерентного поля по сравнению с шумообразным с соответствующими частями тонкой структуры энергетических уровней ПК выше, и исходя из этого резонанс тонких волновых структур, поля с энергетическим уровнем, в объеме туннельного ПК покрытия интенсивнее, соответственно, больше выход электронной плазмы. То есть, применяя мазер, при меньшей затрате энергии мы имеем заданное количество каталитической электронной плазмы и больше выход плазмы с единицы поверхности туннельного ПК покрытия эмиттера.

Выбор квантового генератора, соответствующего техническим параметрам ЭУ. Применяем мазер на циклотронном резонансе (МЦР), гиротрон соответствует заданным параметрам ЭУ. Далее рассмотрим движитель экрана эмиттера электронной плазмы ЭУ.

Движитель, вращающий экран-эмиттер электронной плазмы ЭУ, предназначен для создания, переменяя центробежную силу на туннельном ПК покрытии экрана-эмиттера, тонкого слоя термолизуемой СВЧ ЭМ полем жидкости. Конструкция движителя экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ следующая: на расстоянии от внутренней краевой поверхности чаши (параболоида вращения) экрана-эмиттера электронной плазмы ЭУ расположен вращающийся экран СП подковообразной формы. То есть между поверхностью экрана-эмиттера и СП есть зазор, достаточный для проникновения к поверхности ПК туннельного покрытия экрана-эмиттера ЭМ СВЧ поля от квантового генератора, взаимодействия данного излучения с ПК туннельным покрытием и эмиссии на поверхность покрытия электронной плазмы. Внешняя поверхность ПК покрыта ситаллом, диэлектрическим материалом – кордиеритом, покрытие предназначено для защиты поверхности ПК от разогрева и генерации в массиве ПК тока наведения от квантового генератора. СП расположен на кордиеритовых стержнях-держателях, два концевых стержня полые, в концевых кордиеритовых стержнях-держателях расположен СП провод, подсоединенный к электрической цепи ЭУ.

Диэлектрическая антенна излучения СВЧ ЭМ поля (бегущей волны) выполнена в форме «закрученного» стержня (пример – закрученный валик поверхности ситаллового диэлектрического стержня), так что вводимое от волновода на стержень ЭМ поле на выходе от стержня испытывает процессию, покадрово относительно поверхности, то есть вращается с большой скоростью вокруг оси симметрии стержня антенны. Соответственно, под зазором СП на поверхности экрана-эмиттера образуются два максимума электронной плазмы, движущиеся над контуром СП, поле СП взаимодействует с максимумами плазмы, так что экран-эмиттер, выталкиваемый полем, вращается вокруг оси. Скорость вращения движителя управляется нами, применяем увеличение либо уменьшение подачи токовой мощности на СП.

### Глава двенадцатая. Анимационная поверхность антенны излучения когерентного ЭМ поля

Рассмотрим антенну, излучающую расположенную в камере синтеза водорода. Материал антенны – ситалл кордиерит, форма – АИ стержень-валик, на стержне есть анимационная поверхность.

Рассмотрим форму стержень-валик. Так как частота МЦР (гиротрона) периодически в интервале частот взаимодействия с плазменным экраном меняется, ЭМ волна, проходя диэлектрический стержень АИ, в проводном частотном состоянии огибает валик на поверхности стержня, далее есть перемена частоты МЦР, ЭМ волна далее в операционном состоянии такая, частота ЭМ поля такова, что поверхностная волна взаимодействует с поверхностью валика и изменяет направление бега и направляется на поверхность плазменного экрана.

Далее АИ, форма – стержень, анимационная поверхность – валик-выемка, количество выемок – две. Валики расположены на поверхности стержня последовательно снизу вверх. Выемки расположены от центральной оси стержня по спирали. Бегущая поверхностная ЭМ волна последовательно взаимодействует с формой так, что в операционном состоянии валик направляет поле на плазменный экран, выемки направляют соответственно более интенсивное поле на поверхность экрана, то есть кромку, контактную с СП. Так как в МЦР модулируем и, соответственно, и ЭМ поле изменяет свою частотную характеристику (последовательное переключение частоты) и валиков на анимационной поверхности несколько, то бегущая поверхностная волна в операционном состоянии срабатывает на анимационной поверхности последовательно (покадрово), и происходит переключение поля на соответствующие валики-выемки так, что на приемной поверхности плазменного экрана наблюдается круговое движение двух максимумов излучения-приема поля, анимированное движение плазмы, взаимодействующее с СП и вращающее экран.

Преимущества двухимпульсной схемы подачи энергии ЭМ поля от антенны излучения СВЧ на плазменный экран. Применяем двухимпульсную схему подачи энергии когерентного ЭМ поля, индукция-резонанс, от диэлектрической антенны излучения СВЧ на плазменный экран, отличающуюся от периодического процесса подачи импульса на экран, изменяющего форму энергетического барьера, так что в массиве электрический ток до подачи ЭМ когерентного импульса отсутствует, есть периодическая подпитка от СП конденсатора и индуцирующего ток в кристалле ПК в процессе электромагнитной деформации барьера следующим образом.

Схема запитки плазменного экрана следующая: в процессе взаимодействия исходящих импульсов от антенны излучения ЭМ поля с поверхностью ПК, плазменного экрана, образуется максимум напряженности поля (Кулон) в области поверхности туннельной эмиссии электронного газа, так как область максимума (вершины) находится во времени конгруэнтно максимумам подачи энергии ЭМ поля (заряд находится на поверхности определенное время). Соответственно, мы подаем запитку на максимум напряженности поля заряда в области эмиссии, аконгруэнтно максимумам подачи ЭМ, иначе далее последует процесс туннелирования плазмы в спираль, контакт СП с экраном и произойдет потеря энергии.

Преимущества двухимпульсной схемы туннельной эмиссии следующие: выход плазмы с единицы поверхности ПК, так что в массиве ток выше, чем ПК в апотоковом, соответственно, воздействуя на ПК ЭМ полем, процесс генерации тока индукционного, мы имеем выход плазмы существенно выше.

В процессе взаимодействия когерентного ЭМ поля с кристаллом ПК, его электронными оболочками в апотоковой конформации процесс резонанса есть поле электронных оболочек апотокового кристалла, то есть области электронов проводимости кристалла ПК, так что в кристалле отсутствует направленное движение электрических зарядов (ток), более когерентно, чем поле движения заряда (плазмы) в ПК, резонанс внешнего поля с полем электронных оболочек апотокового кристалла ПК эффективнее, и для изменения формы энергетического барьера, деформации барьера ЭМ полем достаточно одного импульса когерентного поля. Вернемся к рассмотренному выше процессу индукции. Да, взаимодействие когерентного поля с электронными оболочками кристалла ПК эффективнее, но данный процесс соответствует процессу взрывной эмиссии и приведет к разрушению, испарению кристалла ПК, поверхности плазменного экрана и далее к выходу оборудования из строя. Соответственно, мы данный процесс применять в данном ЭУ отказываемся, предпочитая двухимпульсную схему подачи энергии гиротрона.

### Глава тринадцатая. Процессы взаимодействия вырожденной плазмы, электронного газа с магнитным полем, ХС

Далее рассмотрим процесс соответствующего физико-химического взаимодействия, вырожденной плазмы, электронного газа во взаимодействии с магнитным полем, далее химическими молекулами. Рассмотрим образующиеся в процессе взаимодействия магнитного поля с вырожденной плазмой квантовомеханические объекты, векторный «атом», стержневой «атом», стержни квантовомеханические.

Рассмотрим состав и процессы синтеза, системы векторных квантовомеханических «атомов», то есть вырожденной плазмы электронного газа в магнитном поле. Стержень, квантовомеханическая система, образующаяся либо синтезируемая в процессе взаимодействия квантовых частиц с различными полями, рассматриваем, лептонов с магнитным полем.

Электроны (лептоны) взаимодействуют с МП (магнитным полем), фланируют по силовым линиям, силовой линии поля (СМЛ) по спирали осям образуют спиральную орбиталь (ОС) векторного квантовомеханического «атома». Далее, в зависимости от напряженности полей, магнитного поля, энергии движущихся квантовых частиц, лептонов квантовые параметры орбиталей в стержнях соответствуют либо выше квантовых энергетических (физико-химических) параметров орбиталей атомов химических.

Соответственно, применяем квантовые свойства материального субстрата в процессах синтеза квантовомеханических стержней, далее, рассматривая дальнейшее взаимодействие квантовомеханических стержней с атомами химическими либо полями, синтетическими «атомами», есть положительный выход энергии.

Рассмотрим синтез и взаимодействие векторных «атомов» с химическими. Вырожденная плазма во взаимодействии с МП +ХС синтезируемых стержней и химических атомов. В процессе синтеза стержней применяем квантовые эффекты, туннельную эмиссию электронов на поверхность полупроводника, соответственно, применяем экран-эмиттер электронного газа, арсенид галлия, генерацию магнитного поля магнитами-соленоидами.

В данном физико-химическом процессе вырожденная плазма выполняет функцию щелочного металла-восстановителя, процесс взаимодействия квантовомеханических стержней с водой.

Рассмотрим физико-химический процесс, реакцию – вырожденная плазма во взаимодействии с МП + HO, на примере щелочного металла натрия: 2

реакция восстановления щелочным металлом воды, так как квановомеханический стержень в пределах взаимодействия с ХС, водой устойчив, энергия связи магнитное поле-лептон, e‾ – ОС, меньше в процессе перехода электрона e‾ с орбитали стержня на энергетическую орбиталь воды в процессе восстановления, так что есть выход водорода и выделение энергии. Далее в процессе синтеза квантовомеханических векторных «атомов» мы применили квантовые эффекты: туннельную эмиссию электрона, генерацию магнитного поля. Соответственно, на процесс синтеза стержней энергии, вероятно, мы затратим меньше, чем выделится в результате горения синтезированного водорода, то есть ожидается экзовыход энергии.

Есть процесс восстановления-аккумуляции вырожденной плазмы, электронного газа, есть захват и аккумуляция электронов электромагнитами, образование квантовомеханических стержней в магнитной ловушке, так как в процессе образования вырожденной плазмы участвует квантовый эффект энергии в сумме на захват, аккумуляцию вырожденной плазмы, далее на синтез векторных «атомов» энерготрата, вероятно, меньше, энергии (см. выше горение синтезированного водорода) выделяется, вероятно, больше, соответственно, векторный «атом», физико-химическая квантовомеханическая система энергетически эффективна.

Na + HO NaOH + ½H↑, 2 2

### Глава четырнадцатая. Опыт, обнаружение квантовой экзотермичности воды, эксперимент в условиях лаборатории

Применение квантового катализа полупроводниками в процессах лизиса водородсодержащего топлива, экспериментальное изучение энергетически эффективного баланса в лизируемой жидкости водородсодержащих соединений, количества органических.

В стеклянную колбу помещаем электрические элементы, анод и катод, далее колбу заполняем диспергированным полупроводником, арсенидом галлия в воде, водную суспензию арсенида галлия, выход колбы подсоединяем к вакуумному насосу, на цепь подаем импульсы переменного электрического тока, далее колбу облучаем источником электромагнитного поля, мазером на МЦР либо лазером (квантовые генераторы, источники когерентного ЭМ поля), на выходе в результате рассматриваемого плазменно-квантовокаталитического лизиса вероятен водород. В процессе обнаружения применяем газоанализатор на водород либо наблюдаем аудиальный физико-химический эффект – хлопок гремучего газа в процессе сгорания смеси водорода и кислорода.

Схема подачи энергии когерентного ЭМ поля от квантового генератора двухимпульсная. Первый импульс – процесс инициации квантового эффекта в полупроводнике, второй импульс – лизирующий жидкость. Газовую смесь направляем на сжигание, энерговыход измеряем, применяем калориметрию.

Катализ электромагнитного лизиса эмиссионной вырожденной плазмой электронным газом. Мы знаем, что квантовый процесс «туннельный эффект» обусловлен закономерностями, отличающимися от описываемых термодинамикой. В данном опыте квантовые закономерности стыкованы с физико-химическим процессом катализа, химическим процессом восстановления, соответственно, как и в ядерной физике, энергетический выход, вероятно, отличается от химических процессов воды в кислороде атмосферы.

Сечение взаимодействия – характеристика пролетных электронов (вырожденной эмиссионной плазмы, электронного газа), то есть корпускул (см. дуализм квантово-волновой), соответственно, в рассматриваемых нами восстановителях, щелочных металлах, на примере натрия электроны – волны (когерентное поле).

Вырожденная плазма диффундирует, соответственно, вводим в ЭУ внешнее управление потоком электронов (пример – линзы магнитные), ловушки магнитные, соответствующую частотную настройку поля, сопротивления выходу электронов за пределы пленки, далее есть давление внешнего электромагнитного поля, взаимодействие с магнитным полем вихревых токов.

Учитывая пролетные свойства электронного газа, вырожденной плазмы, энергетическое устройство находится в периодически действующей магнитной ловушке.

Частоты релятивистской лампы обратной волны (лазера) – 2,45 ГГц (2400 МГЦ) ÷ 2 ТГц (3 ТГц) до максимально близкорасположенных к инфракрасной области электромагнитного спектра либо излучение ЛОВ частично входит в тепловую область.

### Глава пятнадцатая. Методы электронной эмиссии

Туннельная эмиссия электронов на поверхность экрана эмиттера в процессе взаимодействия массива с внешним когерентным электромагнитным полем, внешнее электромагнитное поле уменьшает величину энергетического барьера, изменяет форму энергетического барьера.

Электронная эмиссия на поверхность туннельного полупроводника в процессе взаимодействия с внешним акустическим полем, УЗ эмиссия.

Магнитная эмиссия, внешнее ЭМ СВЧ когерентным полем генерируем в пластине СП, аккумулирующей электронный газ, электрический ток, бозоновская жидкость вытесняет магнитное поле к поверхности СП, далее магнитное поле вытесняет лептоны туннельного ПК к поверхности, процесс магнитного вытеснения ПК есть покрытие на поверхности СП, СВЧ инициирует ток соответственно в СП, ПК (метод короткоимпульсного преодоления магнитного барьера в СП см. выше).

Синергетическая туннельная эмиссия электронов в процессе упорядочивания магнитной структуры магнитного СП (ПК) внешним когерентным электромагнитным полем есть процесс увеличения проводимости и уменьшения энергетического барьера в магнитном полупроводнике, далее электронный газ туннелирует на поверхность. Взрывная туннельная эмиссия электронов в вакууме.

В процессе охлаждения испаряемое далее в процессе взрывной туннельной эмиссии электронов соединение переходит в твердое проводящее ток состояние, далее в процессе взаимодействия с импульсом электромагнитного поля в вакууме есть взрывная эмиссия льда, далее лизис, так что, учитывая квантовый эффект, энерготрата меньше.

Процесс взрывной электронной туннельной эмиссии электронов охлажденного металлического адсорбента данного лизируемого соединения, взрывная эмиссия амальгамы палладия, сорбирующей водород в вакууме, охлажденной, твердой, образующей эмитирующее покрытие – экран.

### Глава шестнадцатая. Исследовательский проект

Экспериментальное доказательство применения квантовых свойств материального субстрата, в частности туннельного эффекта, в процессах выработки энергии и возможности положительного выхода энергии от процессов каталитического взаимодействия, генерированной в процессе туннелирования электронов, туннельной эмиссии на поверхность полупроводника холодной плазмы с тонкой пленкой эндотермических на химическом уровне, в процессах взаимодействия с кислородом, горения соединений, дальнейшего взаимодействия компонентов, выработанных в процессе туннельного плазмокаталитического лизиса, и применения данного энергетического устройства в процессах выработки энергии в условиях пилотируемых космических летательных аппаратов, применяя топливо, воду и в перспективе на планетарных космических исследовательских станциях, планетах, содержащих в поверхностных грунтах воду, твердую либо жидкую углекислоту, эндотермические к кислороду соединения.

Технологический квантовый космический объект корреляционно связан с операторами, экипажем корабля (эргономическая корреляция), соответственно, данный объект, то есть ЭУ, так как искусственные объекты манипулятивно связаны с оператором, размеры объектов объективно соответствуют биологическим (антропным) параметрам операторов. Далее, выбираемый гиротрон соответствует диску с данным диаметром, применяемые в космической технике гиротроны с данными размерами, вписывающиеся в СВЧ камеру диска соответствующих размеров, есть.

Техническая схема экспериментального энергетического устройства (ЭУ) следующая:

диск диаметром 0,18 м, высотой 0,10 м;

конструкционные части аппарата:

1) камеры синтеза водорода, в камерах расположены плазменные экраны;

2) СП конденсатор-соленоид;

3) генератор электрической энергии, преобразователь тепловой энергии горения;

4) платформы МЦР.

Центральная часть устройства, движитель аппарата:

5) СП подвеска движителя;

5.1) кольцевая антенна приема СВЧ энергии, запитывает МЦР;

5.2) преобразователь потока энергии от антенны приема;

5.3) антенна излучения;

5.4) приемник ионизирующего излучения;

5.5 и 5.6) СП движитель, вращающий волновод, расположен в центральной торообразной полукамере.

Далее, постановка первичных экспериментов, обнаружение квантовой экзотермичности (катализа лизиса) воды.

Схема эксперимента следующая. На ситалловый, диэлектрический экран, вращаемый движителем параболоид, покрытый тонкой полупроводниковой пленкой, направляем СВЧ импульсы ЭМ поля от диэлектрической антенны излучения мазера (карсинотрона, когерентные источники СВЧ вероятностны), так что генерируемая в процессе туннельной эмиссии плазма взаимодействует с тонкой образуемой в процессе вращения экрана пленкой. Выработанная в плазмокаталитическом процессе газовая топливная смесь подается в преобразователь энергии горения в электрическую. Учитывая проникающую способность электронного газа, экран находится в периодически действующей магнитной ловушке.

### Глава семнадцатая. Приложение. Обзор-исследование космических технологий

Есть экзоматерия, образующая стримеры, тоннели пространственно-временные «вторичные», более чем вторичные, обладающая большим запасом отрицательной энергии, чем электромагнитное поле. Данная материя, стримеруя, сохраняется в прежнем состоянии, в прибытии стримера в прошлое есть частицы исходного будущего, есть «частицы» настолько «темные» (отрицательные) энергетически, что способны войти в отдельную струну, есть «темный» энергетически хронотуман.

Отрицательная энергия, так как отрицательная энергия, энергетическое состояние «лептонного» вакуума, заполнено соответствующими лептонами, обладающими спинами, возможно резонансное состояние со спинами лептонов, так что вакуум поляризуется, возможно, часть отрицательной энергии в процессе энергетического перехода спиновых лептонов высвобождается, соответственно, «темные частицы» возможны поляризационные, есть «темный» хронотуман, «запас» отрицательной энергии есть продолжительность резонансного состояния – перехода энергетического.

В отдельную струну входит пространственно-временной тоннель – поляризованный вакуум, диссипация пространство-матрицы, «частица», «темный» фрактал. Струноагрегативные культуры создают движущиеся, стационарные агрегации, состоящие из струн, струн космических, возможно, данные агрегации возможно в данном континууме обнаружить.

Культуры прошития континуумов агрегациями струнными, возможно, струнная агрегация генерируема во множестве миров, так что есть континуальное прошитие струнное. Свертка-развертка пространства, возможно, в процессе взаимодействия струн, находящихся в разных вакуумно-структурных объектах в контакте, пример – в мембране, состоящей из ВТСП, поляризованным вакуумом, пример поляризации – взаимодействие МВ с генератором, есть приборы, возможно, взаимодействующие с заполненным вакуумом в процессе поляризации.

Возможно, прошитый струнной агрегацией в несколько параллельных континуумов объект, реагирующий на внешнее воздействие, воздействие МВ, гамбитом управляемым, обнаруживается квазиинфляционным устройством, из параллельного континуума поступает, поглощается во «внешний» континуум энергия.

Прошитые струнными агрегациями неопознанные летающие объекты потенциально представляют опасность, так как, возможно, прошиты в параллельные миры, континуально отличающиеся от данного, соответственно, не исключается инклюкация, коллапс атакующей данный объект МВ.

Вероятно, неопознанный летающий объект способен переносить организованный МВ «цикл» развития континуального в континуум параллельный, то есть организовать гамбит по циклу МВ агрегацией струнной, то, что короткий квазицикл, квазипарадокс континуально выключается на уровне квантов, было экспериментально исследовано группой научной на агрегации квантовой.

Предположительно в данном континууме, аттракторе культуры прошития струнной агрегацией, находятся в области «поглощения масс» континуальной, в данном континууме обнаруженной, «центр поглощения масс» континуальный в пиктограммах на полях, ссылка на данную культуру изображается. «Центр поглощения масс» континуальный на полях в пиктограммах изображается фракталом сетеобразным, струнная агрегация-прошитие в данной сетеобразном фрактале пиктограмме, пунктирной линией, дополнительные обозначения, возможно, опасность общеконтинуальна, изъятие потенциала.

Можно предположить, что культуры прошития струнными агрегациями, находящиеся в области «поглощения масс» континуальной, в мультуниверсуме, применяют поляризацию вакуума на отдельных струнах, так что на темных фракталах вакууме поляризованном, темном хронотумане, выходят в «области поглощения масс» континуальной в возможно исходный континуум, то есть наш континуум матрешечный исходному, параллельный континуум, и возможны культуры матрешечные, поляризирующие вакуум, применяющие прошитие агрегациями струнными.

В пиктограммах на полях возможно обозначение исходного континуума, хронотумана темного. Рассматривая континуальное развитие, цель матрешечных культур прошивших, управляющих в данном континууме, не исходный континуум, вероятно, не содержащий ни звезд, ни галактик, исходная матрица, а возможно, находящиеся далее в исходной матрице иные центры масс, то есть иные, более молодые, еще не прошитые континуумы, исходную матрицу континуум данные культуры изображают на полях с целью дальнейшего извлечения потенциала, управления.

Есть шанс, что мы находимся по ту сторону центра масс, черной дыры в первичной матрице, мультиуниверсум обнаруживается, есть «темный поток», изображение центра масс в первичной матрице, есть изъятие потенциала, гипотетически, производимое из одного из более двухсот шаровых скоплений нашей галактики.

Возможно, есть культуры, квантовосвязывающие континуумы в мультуниверсуме, управляющие мультиуниверсум, данные культуры в первичной матрице устанавливают струны, так что отдельные центры масс в первичной матрице взаимодействуют, континуумы квантовосвязываются-управляются, в континуумах есть состояния бытия, поддерживаемые данной культурой, квантовой связью.

Возможно прошитие области «темного потока» связанности континуальной квантовой относительно устойчивой области движителя, «темный» движитель на прошитии струнами.

Вероятно, прошитие струнами осуществимо, пример – эквивалентное поле вращающегося объекта, генерирует кольцеобразные струны, есть эффект формы, объекты, соответствующие взаимодействуют, соответственно, установив объекты, обладающие эффектом на вращающуюся платформу в МВ, мы сгенерируем прошитие струнами объекта в многомерном пространстве-времени, параллельных континуумах, сгенерируем управляемый гамбит, выход объекта из параллельного континуума.

Организация гамбита, выхода из параллельного континуума в наш континуум объекта-индивидуума, возможна поверхность пирамид, поверхности скалярного поля, взаимодействия волн, поверхности волнового взаимодействия, устанавливаем на вращающийся объект, генератор эквивалентного поля в МВ электромагнитную, соответственно, прошивается струнами объект-индивидуум, генерируется гамбит, скалярные пирамиды изготовимы на ЗD-принтере.

Возможно прошитие объекта в свернутых, скрытых измерениях, есть доступные, данные физические объекты, возможно прошитие струнами в кварках, «бусы» кварково-струнные (кварки струны), струнное множество.

Матричная перестройка в результате гамбита, выхода объекта из параллельного континуума, вне матрицы, предположительно есть культуры, перестраивающие гамбитально матрицу целенаправленно, перестроечные культуры в аттракторе. Пример эниологии. Нарушение спирали многомерности (см. лит. 15).

Гипотетически наш матрешечный относительно матричного-исходного континуума обработали матрешечные культуры. Но мы можем либо попытаться отвертеться, огибая матрешку-континуум, либо, преодолев энергетический барьер, проникнуть в матричный, стать подобной культурой в мультуниверсуме. Огиб темного потока эквивалентен выходу в матричный континуум. Прошитие струнами в континуумы параллельные в мультиуниверсум, управляемый гамбит, скорее всего, более интенсивный, скалярными пирамидами из ВТСП, объектами, отличающимися от пирамид, так как прошитие сверхпроводниками интенсивнее, есть скалярное прошитие, прошитие ВТСП.

Возможность осуществления квазимашины безопасной, мнение А. Эйнштейна, Н. Теслы. Электромагнитные квазимашины опасны, пример – продолжительное применение квазимашины на эсминце, способно (могло) привести к сходу нашей планеты с природой обусловленного направления континуального развития, попадания планеты в целом в образованную квазимашиной воронку.

Рассмотрим следующие примеры квазимашин: электромагнитная квазимашина образует отрицательную энергию в вакууме, пример – лептонном, соответственно, тоннель, бозонные стримеры, так как бозонные стримеры есть симплексы многомерности, образуют тоннель в пространстве-времени, симплекс многомерности – бозонный стример, отправляет в прошлое объект-лидер, стримеры хиггсовских бозонов образуют тоннель автотрофный, отправляются в прошлое, есть объект-отправка.