МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники – Р. Х. Акчурин

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Поделиться:
Скачать pdf
Cкачиваний: 3
Язык:
Русский (эта книга не перевод)
Опубликовано здесь:
2019-10-29
Файл подготовлен:
2019-10-25 16:42:11
Скачать

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.

Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.

Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Полная версия

Читать онлайн

Оставить отзыв

Рейтинг@Mail.ru